와이드 밴드갭 반도체 전력 모듈 테스트 방법

+ 전력 디바이스 분석기

진정한 펄스 격리 프로브 기술을 사용한 WBG 반도체 전력 모듈 특성화

더블 펄스 테스트(DPT) 시스템의 전력 모듈을 테스트하기 위해서는 하측 및 상측 신호 측정이 필요합니다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 와이드 밴드갭(WBG) 전력 모듈은 전류를 늘리기 위해 다중 필드-효과 트랜지스터(FET)를 포함하고 있어 이산 전력 디바이스보다 전력 밀도가 더 높습니다. 고속 충전을 위해서는 SiC 및 GaN과 같이 최대 400 A에서 작동하는 고전류, 고전압 반도체를 사용해야 합니다. 이러한 반도체의 고유한 하프 브리지 전력 모듈 구성의 경우 상측 디바이스 소스와 하측 디바이스 드레인 간 접합부에서 독립적으로 전압 전위를 측정해야 합니다. 이 구성은 하프 브리지가 전환하면서 큰 전압 스윙과 함께 동적으로 변합니다. 따라서 특히 작은 게이트 전압의 경우 상측 FET 측정이 어려워집니다.

DPT 기술은 전력 반도체 성능 파라미터를 결정하는 데 사용되는 산업 표준입니다. 테스트 엔지니어에게는 펄스 격리 프로브 기술을 사용해서 정확한 게이트 전압을 수집하는 더블 펄스 테스트가 필요합니다. 시스템은 정확한 고전류 측정을 위해 고대역폭 RF 보상을 활용합니다. DPT 시스템은 프로브 보상, 오프셋 조정, 디스큐, 공통 모드 노이즈 제거 등 표준 고급 측정 기술을 포함해야 합니다. 또한 시스템 이득 및 오프셋 오류를 수정하기 위한 반자동 교정 루틴도 필요합니다. 시스템은 표준화된 WBG 디바이스 특성화와 관련한 최신 JEDEC 가이드라인을 준수해야 합니다.

WBG 반도체 전력 모듈 테스터

높은 전류와 대역폭에서 작동하는 WBG 반도체 전력 모듈을 테스트하기 위해서는 GaN 및 SiC에 대한 JEDEC JC-70 WBG 표준을 준수하는 펄스 격리 프로브 기술이 필요합니다. 키사이트 WBG 디바이스 분석기 및 테스터(모델 PD1550A)를 사용하면 SiC 반도체 전력 모듈에 대한 반복 가능하고 신뢰할 수 있는 측정이 가능합니다. 이 제품은 혁신적인 펄스 격리 프로브 기술을 사용해서 상측 게이트 전압 특성화 문제를 해결합니다. 테스트 대상 모듈 연결에 시간을 절약할 수 있는 솔더리스 접촉 기술을 사용하여 최대 1,360 V, 1,000 A까지 전력 모듈을 테스트합니다.

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